曝英伟达50系显卡采用台积电3nm工艺 24年|25年发布
英伟达下一代GeForce RTX50系显卡（代号Blackwell）预计将采用最新的台积电3nm工艺，同时采用DisplayPort 2.1标准。
Kopite7kimi透露，英伟达正在准备Blackwell GPU，该GPU将应用于RTX50系显卡，并将建立在台积电的3nm工艺之上。最新的3nm工艺技术将提供25-30%的功耗降低，每个晶体管的性能增加10-15%，面积减少42%，密度增加1.7倍。与目前的5nm节点相比，这些都是相当可观的进步，在现有的40系“Ada Lovelace”阵容中，5nm节点已经提供了惊人的每瓦性能（效率），所以50系的提高值得进一步期待。
现在说Blackwell游戏GPU使用哪个特定的3nm节点还为时过早，因为该技术至少有四种不同的风格，从标准的N3，到更高效、更注重性能的设计的N3E、N3P和N3A。
与此同时，英伟达游戏卡将使用GDDR7内存解决方案，=这将是多年来HPC和游戏卡第一次采用相同命名约定的架构。
除了工艺节点技术，英伟达还有望在其下一代显卡中使用DisplayPort 2.1技术，这将使其与AMD自去年以来提供的Radeon RX 7000系GPU一致。在40系显卡上排除DP 2.1是一个很大的遗憾，但看起来英伟达将在其即将推出的图形架构中支持最新技术。
GeForce RTX50系显卡（代号Blackwell）预计将在2024年底或2025年初首次亮相。（来源：wccftech）