抢先一步:曝三星将于6月30日量产3nm芯片

6月29日,据外媒报道称,三星将在6月30日正式开始量产基于GAA(全环绕栅极技术)的3nm制程芯片。

若该报道消息属实的话,这就意味着三星抢先于台积电和英特尔首发了3nm制程的芯片,台积电和英特尔分别计划在2022年下半年和2023年下半年量产3nm芯片。

据悉,三星在3nm芯片工艺竞争上与台积电的路线并不相同,三星选择的是GAA晶体管技术,而台积电则选择了FinFET架构,也就是鳍式场效应晶体管技术。

三星表示GAA晶体管结构要优于FinFET,与FinFET相比,GAA技术加持的3nm工艺可以提升芯片约30%的性能和超过45%的逻辑面积率。同时,芯片的能耗也能够降低50%。

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