三星3nm芯片将于第二季度开始量产 首次使用环栅场效应晶体管节点
4月29日消息（丁凡）今日，三星电子宣布，将在本季度 (即未来几周内) 开始使用 3GAE (早期 3nm 级栅极全能) 工艺进行大规模生产。这不仅标志着业界首创 3nm 级制造技术，也是首个使用环栅场效应晶体管 (GAAFETs) 的节点。
“这是世界上首次大规模生产的 GAA 3 纳米工艺，将以此提高技术领先地位，”三星在一份报告中写道。三星 Foundry 的 3GAE 工艺技术是首次使用 GAA 晶体管 (三星将其称为“多桥沟道场效应晶体管 (MBCFET)”) 工艺。
三星表示，该工艺将实现 30% 的性能提升、50% 的功耗降低以及高达 80% 的晶体管密度（包括逻辑和 SRAM 晶体管的混合）。不过，三星的性能和功耗的实际组合将如何发挥作用还有待观察。